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MOSFET IRF540 canal N

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Transistor MOSFET IRF540N

Tipo de Transistor: MOSFET
Corriente de drenaje continua Id: 33 A
Vds-voltaje de ruptura de fuente de drenaje: 100 V
Polaridad de Transistor: Canal N
Vgs-voltaje de ruptura : 20 V
Pd-disipación: 140 W

Peso 10 g
Tipo

Transistor de Potencia

Encapsulado

TO-220

Cantidad

1 unidad

Origen

Entrega

Voltaje

100 V DC

Potencia

140 W

Temperatura

65 grados

modelo

IRF540N

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