Un Transistor MOSFET IRF9540N es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) diseñado para manejar niveles de potencia significativos.
El transistor de efecto de campo de semiconductor de metal-óxido (MOSFET, MOS-FET o MOS FET) es un transistor utilizado para amplificar o cambiar señales electrónicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales con terminales de fuente (S), compuerta (G), drenaje (D) y cuerpo (B), el cuerpo (o sustrato) del MOSFET a menudo está conectado al terminal de fuente, lo que hace que Es un dispositivo de tres terminales como otros transistores de efecto de campo. Debido a que estos dos terminales están normalmente conectados entre sí (cortocircuitos) internamente, solo tres terminales aparecen en diagramas eléctricos. El MOSFET es, con mucho, el transistor más común en los circuitos digitales y analógicos, aunque el transistor de unión bipolar fue en algún momento mucho más común.
DATOS:
| Type |
P-channel MOSFET
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| Channel Type |
Enhancement
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| Drain – Source Voltage (Vdss) | 100 V | |
| Drain Current (Id) | 23 A | |
| Power Dissipation (Pd) [Tcase≤25°C] | 140 W | |
| Gate threshold level |
Standard
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| Gate threshold voltage Vgs(th) | 2.0 – 4.0 V | |
| Drain-Source resistance (Rds-on) max. | 0,117 Ω | |
| Turn-on time (t-on) | 15 ns | |
| Fall Time (tf) | 51 ns | |
| Turn-off time (td-off) | 51 ns | |
| Integrated diode |
Yes
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| Case |
TO-220
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| Package type |
-17j
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